无线充电用碳化硅MOSFET驱动过程分析及设计开题报告

1. 本选题研究的目的及意义

无线充电技术作为一种新兴的充电方式，近年来在消费电子、电动汽车、医疗设备等领域得到了广泛应用。

相较于传统的有线充电方式，无线充电技术具有安全性高、便捷性强、适用范围广等优点，市场前景广阔。

碳化硅（sic）mosfet作为一种宽禁带半导体器件，具备开关速度快、导通电阻低、工作温度高等优势，在无线充电系统中能够有效提高系统效率、功率密度和可靠性，是实现无线充电系统高性能的关键器件之一。

2. 本选题国内外研究状况综述

无线充电技术和sicmosfet是目前电力电子领域的热门研究方向，国内外学者对其进行了大量的研究。

1. 国内研究现状

国内学者在无线充电技术方面已取得了显著进展，特别是在谐振拓扑、控制策略和系统集成等方面，涌现出一批优秀的研究成果。

3. 本选题研究的主要内容及写作提纲

本课题的主要内容包括：
1.对无线充电系统和sicmosfet进行深入研究，分析其工作原理、特性参数和相互影响。

2.研究sicmosfet的驱动过程，分析影响其驱动特性的关键因素，如栅极驱动电压、驱动电流、米勒效应等。

3.设计一种高效、可靠的sicmosfet驱动电路，并对其进行仿真分析和实验验证。

4. 研究的方法与步骤

本课题将采用理论分析、仿真建模和实验验证相结合的研究方法。

首先，通过查阅文献和相关资料，对无线充电技术、sicmosfet器件特性、驱动电路设计等方面进行深入研究，构建无线充电系统和sicmosfet驱动电路的理论模型。

其次，利用仿真软件（如ltspice、pspice等）搭建无线充电系统仿真平台，对不同驱动电路拓扑结构、驱动信号参数进行仿真分析，评估其对sicmosfet开关特性和系统整体性能的影响，并根据仿真结果优化驱动电路参数。

5. 研究的创新点

本课题的创新点主要体现在以下几个方面：
针对无线充电系统应用需求，提出一种高效、可靠的sicmosfet驱动电路拓扑结构，并分析其工作原理和性能特点。

建立sicmosfet驱动过程的数学模型，分析关键驱动参数对sicmosfet开关特性的影响规律，为驱动电路参数优化提供理论依据。

通过仿真和实验验证所提出的驱动电路设计方案，并对其性能进行评估，为无线充电系统中sicmosfet的驱动应用提供技术支持。

6. 计划与进度安排

第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。

第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲

第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文

7. 参考文献（20个中文5个英文）

## 参考文献

[1] 王永忠, 刘凯, 刘会金, 等. 电动汽车无线充电系统关键技术研究综述[j]. 电工技术学报, 2019, 34(16): 3313-3329.

[2] 朱海兵, 陈乾宏, 詹文杰, 等. 无线电能传输技术研究现状及发展趋势[j]. 中国电机工程学报, 2020, 40(15): 4897-4911.