稀土掺杂的硒化钨薄膜的光电特性研究开题报告

背景：与零带隙的石墨烯不同,过渡族金属硫属化物由于其独特的性质,比如光学透明、高载流子迁移率和广泛可调的带隙等,引起了材料学领域的广泛关注。目前,二维纯相层状p型半导体很少,硒化钨是其中一种,且在空气中的稳定性很好。硒化钨薄膜在场效应晶体管、光电探测器、气体传感器、压电传感器和光伏太阳能电池等方面有巨大的应用前景,是构筑下一代电子学、光电子学器件的理想材料。

目的：采用热蒸发法，在硅衬底上沉积硒化钨（wse₂）薄膜。深入探究生长温度、气体流量等对薄膜的影响规律，制备完成后对薄膜的晶体结构、表面形貌、电学特性、导电特性、电子迁移率以及mose2-si异质结的的光电流和吸收反射特性进行表征。最后分析数据，撰写论文。

意义：近年来随着石墨烯的发现,各种石墨烯二维材料相继成为研究热点,其中单层过渡金属硫化物最为受到研究者的关注。单层tmdc材料,如mos2、mose2、wse2和ws2都是直接带隙半导体材料,很好地弥补了石墨烯带隙为零的不足。因此，本实验探究wse₂的制备方法并对其光电特性进行了研究，这些研究对于制备基于mose2的光电器件有着重要的借鉴意义。

2. 研究内容和预期目标

研究内容

1．查阅文献资料，比较全面地了解硒化钨的研究现状；

2．在认真研读文献的基础上，翻译相关英文资料，撰写资料综述，提出论文的基本框架，并写出符合要求的开题报告，提交指导教师审查，根据修改意见作出相应的修改；

3. 研究的方法与步骤

研究方法：

(1)、使用热蒸发沉积法制备硒化钨薄膜。

(2)、利用原子力显微镜（afm）硒化钨薄膜的表面形貌的影响。

4. 参考文献

[1]武文元，向建勇.单层和少层二硒化钨薄膜的可控制备及光电性能研究.燕山大学，2020

[2]朱静怡,马锡英.硒化钨薄膜的制备与光电特性研究.苏州科技大学。2020

[3]muller g a, cook j b, kim h s, et al. high performance pseudocapacitor based on 2d layered metal chalcogenide nanocrystals.[j]. nano letters, 2015, 15(3):1911.

5. 计划与进度安排

第七学期

1. 4-8周: 毕业论文命题.

2. 9-14周: 教师申报毕业论文课题、院系审核、网上发布。